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Energiebetrachtung im ungedämpften Schwingkreis
Q(t)= sin(wt + φ 0) ; U(t)= sin(wt + φ 0)* /C ; I(t)= *w* cos(wt + φ 0) (s.o.).
Gesamtenergie : W(t) = W el + W mag = ½ CU²(t) + ½ L*I²(t)
= ½ C(/C)² sin ²(wt + φ ) + ½ L² w² cos ²(wt + φ
= ½ ²/(C)*sin ²(wt + φ ) + ½ L² 1/(L*C)*cos ²(wt + φ
= ½ ²/(C)*(sin ²( wt + φ ) + cos ²(wt + φ )) = ½ ²/C = ½ C Û² = ½ L i ² .
Der gedämpfte Schwingkreis
Um gedämpften Schwingkreis aufrechtzuerhalten muß zu geeigneten Zeitpunkten W eingespeist werden .
. Manuell
2. Transistor- / Meißnerschaltung
Funktion des Transistors :
Arbeitspunkt :
Erzwungene Schwingungen
Beob.: Resonanz tritt auf (analog zu mech. Schwing.) : Amplitude von Û C ist bei f 0 max. Für Phasenwinkel zwischen anregender Schwing. (Spannung am Frequenzgenerator) & erzw. Schwing. (U C) gilt :
Hochfrequente Schwingungen
Anwendungen
Hochfrequenzherd-Mikrowellenherd ; Hochfrequenz-Induktionsofen zum Schmelzen von Metallen ; Radio ; Fernsehen , .
Nachweis hochfrequenter Schwingungen
Oszilloskop (bis zu wenigen MHz)
Frequenzzähler (ca. 1 MHz)
Mit einer durch ein Lämpchen kurzgeschlossenen Spule
Mit abstimmbarem Resonanzkreis (L , regelbarem C , Lämpchen) ; I in diesem Kreis kann auch mit Diode & Strom-Messgerät nachgewiesen werden : bei induktiver Kopplung führt dieser Schwingkreis erzw. Schwing. aus : Resonanz .
Erzeugung hochfrequenter Schwingungen
Höhere Eigen-f durch Verringerung der Induktivität & Kapazität : Windungszahl n reduzieren & Kapazität durch Verkleinerung A & Vergrößerung d verringern . Extremfall : gerades Drahtstück als Schwingkreis : Hertzscher Dipol (mit eingebautem Lämpchen & bei geeigneter Länge kann er auch als Resonanzkreis (s.o. 4.) verwendet werden) .
Hertzscher Dipol
Verschiedene Längen : in die Nähe eines Hochfrequenzgenerators mit induktiv gekoppelten Hertzschen Dipol der Länge l : Bei best. Länge leuchtet das Lämpchen am hellsten : Eigen-f Dipol & f Frequenzgenerator stimmen überein . Wenn Lämpchen beim selben Dipol nicht in der Mitte , so leuchtet es schwächer .
Erkl.: e‾ im Draht durch U ind in der 1. ¼-Periode einer Schwing. zu einem Drahtende hin beschl. C = Drahtenden geladen : anwachsendes E-Feld : wirkt
e‾-Bewegung entgegen . Da kein hom. E-Feld : e‾ versch. stark abgebremst : Enden bes. stark , Mitte wenig . Enden : I = 0 A , Mitte I max. : Bei auf Resonanz eingestelltem Dipol I in Mitte bes. groß . Amplitude E an Enden max. , Mitte min.
Nachweis der el. Feldstärke längs eines Hertzschen Dipols
Durch Glimmlampe (Zünd-U liegt an) : leuchtet an den Enden am hellsten .
Nahfeld um einen Hertzschen Dipol
Im HD fließt Wechselstrom : erzeugt (Oersted) sich änderndes (starkes) B-Feld (Ursache von I : el. Quellenfeld zwischen getrennten Ladungen) .
Ferner entsteht ein sich periodisch änderndes el. Feld : B- & E-Feld haben Phasendifferenz von 90° .
E- B-Feld um einen Hertzschen Dipol während einer Periode
Herleitung der E-Feldstärke um einen Hertzschen Dipol
E ist max. , wenn Ladungen vollständig getrennt (I = 0 A)
Messen : E ~ 1/r keinesfalls E ~ 1/r³ . Annahme , dass es sich um elektro-/ magnetostatischen Effekt handelt (Coulomb-Gesetz) reicht nicht zur Erklärung aus : Elektrostatik erklärt das Nahfeld : Weiterer Effekt vorhanden , der das Fernfeld beschreiben kann :
Elektromagnetische Wellen
Sender vor Metallplatte : hinter Platte kein Signal mehr messbar (Abschirmung).
Messen E-Feld zwischen Sender und Metallwand : Max. & Min. an festen Stellen : Dort stehende Welle (Interferenz) . Bei Reflexion erfährt E Phasensprung von 180° , B wird ohne Phasensprung reflektiert : an Wand : E-Knoten ("festes Ende") &
B-Bauch ("loses Ende") .
Fernfeld : E & B orthogonal aber in Phase & bilden folgendes Dreibein :
Eigenfrequenzen beim Dipol
An Enden I = 0 A : B = 0 T : Knoten des B-Feldes , entsprechend E-Bauch : Dipol = Wellenträger mit stehenden el.mag. Wellen , wenn er mit geeigneten Eigen-f f k angeregt wird . Bestimmung der Eigen-f : Bed.: d (Dipollänge) = k*l k
l k = 2d/k , k = 1;2; : f k = c/l k = c* k/(2d) .
Ausbreitungsgeschwindigkeit el.mag. Wellen
Annahme : Bei sich ausbreitenden Welle ist W el = W mag :
El. Energiedichte :ρ el = ½ ε 0 ε r *E² , mag. Energiedichte :ρ mag = ½ (1/(μ 0 μ r))* B².
Da (Induktionsgesetz) : E = B* v : ½ ε 0 ε r *B² v² = ½ (1/(μ 0 μ r))* B² :
v = 1/√(μ 0 μ r *ε 0 ε r) = Ausbreitungsgeschw. (des B-Feldes d.h.) der Welle . Im Vakuum (Luft) : ε r = μ r = 1 : c 0 = 1/√(ε 0 *μ 0)
= 2,99*108 = Lichtgeschw.
In Materialien ist i. A. μ r = 1 : Ausbreitungsgeschw. in Materialien :
c = c 0 /√ε r ≤ c 0 .
DGL für el.mag. Wellen
Maxwellgleichungen : B'' = B˙˙ *1/c² , analog E : Lsg.: B = (B^)sin(kx - wt + φ) , analog E : B & E sind im Fernfeld in Phase .
Dipol Eigenfrequenzen in Materie
Empfangsdipol in Materie : für optimalen Empfang , bei fester f : Länge des Dipols so eingestellt werden , dass gilt : d = k*l k /2 = k* c/(2f) . In Materie verringert sich c , da f gleichbleibt verringert sich auch l . Eigen-f : f k = k* c/(2d) , k є (ohne 0)
Doppelspalt
Spalten des Doppelspalts stellen Sender dar , gleiche f & in Phase schwingen (kohärent) . Treffen 2 Wellen aus diesen Sendern am Empfänger an , so interferieren sie . Sofern a>>d : Wellen-Strahlen parallel .
d heißt Gangunterschied & ist = Differenz der Entfernungen von Spalt 1 zum Empfänger und Spalt 2 zum Empfänger .
Konstruktive Interferenz (Max. am Empfänger) : muss d = k*l , k є Z ; max. d = d :
d ≤ d . Destruktive Interferenz (Min. am Empfänger) : d = l (2k - 1)/2 , k є Z (ohne 0).
Aus Skizze : sin α = d/d ; tan α = x/a : Bsp.: 1. Max. : d = l : sin α = l /d ;
tan α = x 1 /a . Unterer Strahl braucht Vorsprung vor Oberem wenn beide in Phase an E ankommen sollen (Max.) : bei gegenphasiger Schwingung ist Max.bed. = Min. bed. (s.o.) ; bei anderem Phasenwinkel φ : φ (im Bogenmaß) = 2p*d/l ; φ° = 360° *d/l ; Anteil an der Periodendauer T : t = T *d/l .
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